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PolarHV TM
Power MOSFET
IXTA 7N60P
IXTP 7N60P
V DSS = 600
I D25 = 7
R DS(on) ≤ 1.1
V
A
?
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-220 (IXTP)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M ?
600
600
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 30
± 40
V
V
G
D S
(TAB)
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
7
14
A
A
TO-263 (IXTA)
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
7
20
400
10
A
mJ
mJ
V/ns
G
S
(TAB)
P D
T J
T JM
T stg
T J ≤ 150 ° C, R G = 18 ?
T C = 25 ° C
150
-55 ... +150
150
-55 ... +150
W
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
TAB = Drain
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
300
260
° C
° C
l
l
International standard packages
Unclamped Inductive Switching (UIS)
M d
Weight
Mounting torque
TO-220
TO-263
(TO-220)
1.13/10 Nm/lb.in.
4 g
3 g
l
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
Advantages
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
l
Easy to mount
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 100 μ A
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
600
3.0
5.5
± 100
5
50
V
V
nA
μ A
μ A
l
l
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
1.1
?
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99320E(03/06)
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IXTP88N085T 功能描述:MOSFET 88 Amps 85V 11.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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